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三极管按材料分有两种:硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用 多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,取代一些硅原子,在电压激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电);两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e(Emitter)、基极b(Base)和集电极c(Collector)。


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辽宁本溪积压电 2÷6KV=76.9A。估算:"容量除以电压值":800KVA÷6KV= 9.8A。(估算值和公式计算值有误差)。再比如计算二次测额定电流。公式计算:800KVA=1.7 1200A。此口诀适用于任何等级的变压器。如变频器之类的被控设备,一般内置的是从站协议,而plc之类的控制设备,则需具有主站协议、从站协议现在以MODBUS-RTU协议为例,说明通讯帧的典型格式:请求帧格式:从机地址+0x03+寄存器起始地址+寄存器数量+CRC检验正常响应帧格式:从机地址+0x03+字节数+寄存器值+CRC检验三:PLC编程时应该注意以下信息:从机地址:主站发送帧中,该地址表示目标接收从机的地址;从机应答帧中,表示本机地址;从机地址的设定范围为1~247,0为广播通信地址。外设寻址可以访问已经被分配至过程映像区的I/O地址区域。同时使用外设寻址和过程映像区访问同一地址时,在程序执行的某一时刻,二者的结果会存在差异。以下面一段程序为例:外设寻址与过程映像区其中,"TPQB1"为外设寻址,结果会直接送给输出模块;而"AQ1.0"访问的是输出过程映像区,Q1.0的值只有在下个循环周期的"输出映像区的数据写入输出模块"阶段,才能送给输出模块。在当前的循环周期内,二者对输出的作用可能是不同的。BCD码(Binary-CodedDecimal)是二进制编码的十进制数的缩写,BCD码用4位二进制数表示一位十进制数 01,对应于十进制数0~9。BCD码不能使用十六 数字。BCD码本质上是十进制数,因此相邻两位逢十进一。BCD码的位二进制数是符号位,负数的符号位